TECNOLOGÍA
Toshiba lanzará memoria Flash NAND de 16 Gigabits
6 de febrero de 2007
Se trata de la memoria flash NAND de más alta densidad creada hasta el momento
Toshiba Corporation anunció la introducción de la memoria flash NAND de 16Gb (2 gigabytes) y 8Gb (1 gigabyte), fabricada con los procesos tecnológicos de 56 nanómetros y desarrollada en conjunto con la corporación SanDisk de Milpitas, California, EE UU. El de 16Gb es el chip de memoria flash NAND de más alta densidad creado hasta ahora.La adopción de tecnología MLC y una eficiencia de programación mejorada permiten a los nuevos chips ofrecer mayor densidad y desempeño de escritura. La aplicación del proceso tecnológico de 56nm permite los 16Gb, el doble de densidad por chip alcanzada con la tecnología de 8Gb y 70nm, logrando así la mayor densidad en un chip de memoria flash NAND. Un desempeño de escritura de 10 megabytes por segundo, el doble que el de los productos MLC actuales de Toshiba, refleja la eficiencia obtenida con procesos tecnológicos avanzados y doblando el tamaño de la página, la cantidad de información que puede ser escrita de una sola vez, desde 2.112 a 4.314 bytes.Al combinar procesos avanzados con tecnología MLC, y a través de continuos avances en la eficiencia de producción, Toshiba pretende mejorar la competitividad de costo y cumplir con las necesidades del mercado de memorias flash NAND.
