TECNOLOGÍA
Sony desarrolla láser semiconductor con mayor salida de longitud de onda
9 de septiembre de 2008
Las características de óptica y de disipación de calor facilitan la incorporación del nuevo conjunto de laser semiconductor de Sony en el diseño de aparatos de proyección.
Sony Corporation anunció que ha desarrollado un diodo conjunto de laser semiconductor rojo de de onda corta y gran poder que resulta ideal como fuente de luz en aparatos de proyección.Se requiere, para que los diodos de conjunto de láser semiconductores rojos puedan usarse en aparatos de proyección, que entreguen gran brillantez, eficiencia elevada y operación a temperatura ambiental. Este nuevo conjunto de láser logra oscilaciones de longitudes de onda de 635nm para generar niveles de brillantez hasta 1,6 veces mayores que los láser semiconductores rojos convencionales.El conjunto de láser está compuesto por 25 de franjas anchas, siendo la longitud de cada barra de láser de 10mm. Las franjas de láser están montadas en un bloque de calor de cobre. Sony ha logrado la mayor uniformidad en la capa de láser activo, altos niveles de purificación de cristales y alta concentración de doping de magnesio dentro de la capa de cladding AlInP para lograr características de flujo de umbral bajo y de láser mejorado.Al introducir nuevas tecnologías de die bonding para unir el conjunto de láser y el bloque de calor, Sony también ha hecho posible niveles elevados de disipación del calor del conjunto de láser. Es más, la precisión del proceso de montaje de la barra de láser ha sido mejorado para suministrar eficiencia avanzada de la unión entre el conjunto de láser y los aparatos ópticos.Como resultado de tales desarrollos, este nuevo conjunto de láser semiconductor rojo combina longitud de onda de 635nm, poder óptico de 7.2W, 23% de eficiencia en la conversión de energía y operación en condiciones de temperatura ambiental de 25°C.
